Damit wir unsere Webseiten nutzerfreundlicher gestalten und fortlaufend verbessern, verwenden wir Cookies. Wenn Sie die Webseiten weiter nutzen, stimmen Sie dadurch der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen erhalten Sie in unseren Datenschutzhinweisen und unserer Cookie-Richtlinie.

Drucken Ohne Feldnamen

DIN EN 60749-29 [AKTUELL]

Dokumentart:
Norm
Ausgabedatum:
2012-01
Titel (deutsch):
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung (IEC 60749-29:2011); Deutsche Fassung EN 60749-29:2011
Titel (englisch):
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 29: Latch-up test (IEC 60749-29:2011); German version EN 60749-29:2011
Preis:
Download  112,30 EUR Versand  135,80 EUR
Originalsprachen: Deutsch
Varianten Download Versand
Sprache : Deutsch

Inhaltlich ähnliche Artikel weitere

Produktabbildung: Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 44: Prüfverfahren zur Einzelereignis-Effekt-Neutronenbestrahlung von Halbleiterbauelementen (IEC 60749-44:2016); Deutsche Fassung EN 60749-44:2016
Norm

DIN EN 60749-44 : 2017-04

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 44: Prüfverfahren zur Einzelereignis-Effekt-Neutronenbestrahlung von Halbleiterbauelementen (IEC 60749-44:2016); Deutsche Fassung EN 60749-44:2016
Produktabbildung: Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung (IEC 60749-34:2010); Deutsche Fassung EN 60749-34:2010
Norm

DIN EN 60749-34 : 2011-05

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung (IEC 60749-34:2010); Deutsche Fassung EN 60749-34:2010
Produktabbildung: Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur (IEC 60749-23:2004 + A1:2011); Deutsche Fassung EN 60749-23:2004 + A1:2011
Norm

DIN EN 60749-23 : 2011-07

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur (IEC 60749-23:2004 + A1:2011); Deutsche Fassung EN 60749-23:2004 + A1:2011
Produktabbildung: Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 5: Hochfrequenz-MEMS-Schalter (IEC 62047-5:2011); Deutsche Fassung EN 62047-5:2011
Norm

DIN EN 62047-5 : 2012-03

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 5: Hochfrequenz-MEMS-Schalter (IEC 62047-5:2011); Deutsche Fassung EN 62047-5:2011
Produktabbildung: Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) (IEC 60749-18:2019); Deutsche Fassung EN IEC 60749-18:2019
Norm

DIN EN IEC 60749-18 : 2020-02

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) (IEC 60749-18:2019); Deutsche Fassung EN IEC 60749-18:2019
Produktabbildung: Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008); Deutsche Fassung EN 60749-38:2008
Norm

DIN EN 60749-38 : 2008-10

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008); Deutsche Fassung EN 60749-38:2008